喜报——热烈祝贺我所博士生钟耀宗荣获中国科学技术大学2020年度“牛津仪器明日之星奖学金”

我所博士研究生钟耀宗喜获中国科学技术大学2020年度“牛津仪器明日之星奖学金”。

钟耀宗博士硕博阶段一直于器件部孙钱研究员课题组开展硅基GaN增强型高电子迁移率晶体管（p-GaN E-HEMT）的研究，成功开发了p-GaN刻蚀自终止技术、p-GaN栅二次外延技术、高温LPCVD SiNx表面钝化技术等，制备出综合性能处于国际先进水平的p-GaN E-HEMT。发表SCI论文10余篇（其中一作4篇），在ACS Appl. Mater. & Interfaces，IEEE Elec. Dev. Letts.，32nd ISPSD等知名国际学术期刊和顶级国际会议上均有报道。获得过“国家奖学金”、“华灿奖学金”等多项奖励。

牛津仪器明日之星奖学金

      “明日之星”奖学金计划是继“马丁伍德爵士中国物理科学奖”之后，牛津仪器在中国学术研究领域设立的又一奖励计划，以奖励在纳米科学技术及相关领域做出创新成果的在读博士或硕士研究生。获奖者除了可以获得奖学金之外，还可免费参加牛津仪器公司举办的研讨会，并作为口头报告的候选人；优先获得牛津仪器公司国内及全球的工作和实习机会；对其开放牛津仪器公司在中国的相关应用实验室。