恭喜苏州纳米所两支队伍荣获中国研究生创“芯”大赛三等奖

中国研究生创新实践系列大赛——“华为杯”第四届中国研究生创“芯”大赛落下帷幕，来自清华大学、北京大学、中国科学技术大学、复旦大学、上海交通大学、电子科技大学、西安电子科技大学等在内的110所研究生培养单位，499支团队，1439名学生和427位指导老师积极参与。经过两周艰难竞技，通过基础题考试、答辩以及上机设计等环节，最终来自苏州纳米所加工平台张宝顺团队的2支队伍“GaN Team”和“芯星”脱颖而出，获得全国总决赛三等奖。2016年苏州纳米所研究生教育归口中国科学技术大学，共同成立中科大纳米技术与纳米仿生学院（科教融合学院），此次纳米所组建的两支队伍，是中国科学技术大学入围总决赛并最终获奖的参赛队伍，展示了中国科学技术大学科教融合单位在新型半导体材料与器件研究方面的创新能力。

由魏星、唐文昕、刘伟宁三名同学组成的“GaN Team”团队，共同完成了参赛作品《低碳时代——高压低功耗氮化镓功率半导体器件》（指导老师：张晓东、于国浩）。团队创新性地引入“p-GaN条形阵列栅”设计，将p-GaN栅GaN功率半导体器件的耐压从1178 V提升至1449 V，且在2000 V时仍未达到“硬击穿”，器件表现出1.45 kV / 2.96 mΩ·cm2的优异性能，目前已将器件优值（BFOM）提升至1.79 GW/cm2，未来有望应用于电动汽车快速充电系统和工业设备等。由陈体威、唐文博、马永健三名同学组成的“芯星”团队，共同完成了参赛作品《自驱动光谱可区分紫外探测器》（指导老师：张晓东）。团队成功实现了基于ε-Ga2O3/GaN外延异质结的自驱动UVA/UVC双紫外波段探测器，创新性地引入Ga金属自反应刻蚀获得自组装纳米孔结构，将薄膜表面反射率从15%降低到了8%，器件的响应度从13.1 mA W-1提升到43.9 mA W-1，同时噪声电流仍保持在40 pA的极低水平，更进一步分析了大注入条件下光电流极性反转的现象，在面向低能耗、高信噪比的紫外光通信应用中展示出了极大的潜力。

大赛简介

中国研究生创“芯”大赛由教育部学位管理与研究生教育司指导，中国学位与研究生教育学会、中国科协青少年科技中心主办。赛事是面向全国高等院校及科研院所在读研究生的一项团体性集成电路设计创意实践活动。旨在成为研究生展示集成电路设计能力的舞台，进行良好创新实践训练的平台，为参赛学生提供知识交流和实践探索的宝贵机会。大赛每年举办一次，今年为第四届。赛事覆盖全国大部分集成电路相关专业研究生培养高校及科研院所，在促进青年创新人才成长、遴选优秀人才等方面发挥了积极作用，受到政府各部门、高等院校、企事业单位和社会媒体等方面的广泛关注和高度重视。