刘志远

个人简历/Personal resume

  刘志远，博士，中国科学院苏州纳米所副研究员，硕士生导师。2020年本科毕业于电子科技大学，2025年获得沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）博士学位。2026年1月全职加入苏州纳米所，入选研究所人才计划。

  现为半导体显示材料与芯片重点实验室科研骨干（实验室主任孙钱研究员，国家杰青、国家技术发明奖一等奖获得者）。长期从事宽禁带半导体光电子器件的研究，主要聚焦Micro-LED、紫外LED等器件的模拟仿真与工艺制备。

  近五年来，以共同作者身份发表论文40余篇，其中以第一作者及共同第一作者身份发表论文11篇；申请美国发明专利2项，目前授权1项；累计在国际学术会议上作报告20余次。其代表性研究成果荣获多项国际奖项，包括第十一届国际氮化物半导体研讨会（11th International Workshop on Nitride Semiconductors）最佳海报展示奖、第十四届国际氮化物半导体会议（14th International Conference on Nitride Semiconductors）最佳学生奖、国际半导体照明联盟（ISA）“全球半导体照明创新100佳”、国际光学与光子学学会（SPIE）奖学金等。担任Light: Science & Applications、Photonics Research等17个SCI期刊审稿人。

研究方向/Research direction

  半导体光电子器件物理、仿真与工艺制备

招生信息/Enrollment information

  半导体材料与器件，光电子、微电子与固体电子等

  实验室前期培养的硕士生和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去领域内龙头企业工作。欢迎对重点实验室感兴趣的同学将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到zyliu2026@sinano.ac.cn，抄送xren2011@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。

论文专著/The monograph

  代表性论文成果:

  1. Liu, Zhiyuan, et al. "Advanced technologies in InGaN micro-LED fabrication to mitigate the sidewall effect." Light: Science & Applications 14.1 (2025): 64.

  2. Liu, Zhiyuan, et al. "Etching-free pixel definition in InGaN green micro-LEDs." Light: Science & Applications 13.1 (2024): 117.

  3. Liu, Zhiyuan, et al. "Wavelength-stable InGaN-based amber micro-LEDs." Optics Letters 51.6 (2026): 1436-1439.

  4. Liu, Zhiyuan, et al. "2.3-μm deep UV micro-LEDs fabricated by self-aligned selective thermal oxidation process." Optics Letters 50.11 (2025): 3628-3631.

  5. Liu, Zhiyuan, et al. "Alleviate sidewall damage of InGaN green micro-LEDs by atomic layer etching." Optics Letters 50.11 (2025): 3756-3759.

  6. Liu, Zhiyuan, et al. "Significant improvement of n-contact performance and wall plug efficiency of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by atomic layer etching." Optics Letters 49.16 (2024): 4533-4536.