钟耀宗

个人简历/Personal resume

  钟耀宗，2011年本科毕业于中南大学材料科学与工程专业，2020年获得中国科学技术大学博士学位，2021年加入中国科学院苏州纳米所，现任副研究员、硕士生导师。入选了江苏省“双创博士”、中国科学院苏州纳米所“优秀博士后”等，硕博期间获得了“国家奖学金”、中科大“牛津仪器明日之星“奖学金等。长期致力于宽禁带半导体氮化镓（GaN）基功率电子材料与器件研究，研制出性能处于国际前列的GaN增强型HEMT，同时深入研究了器件的失效机理，并提出了一系列有效的可靠性加固方法。相关成果得到产业化转化（专利转让2000万元），在IEEE Elec. Dev. Lett.，Appl. Phys. Lett., ISPSD等国际著名期刊和顶级会议上发表学术论文36篇（一作及通讯18篇），申请发明专利近20项，国际PCT专利4项。主持承担了国家自然科学基金、国家重点研发计划课题任务、江苏省自然科学基金等国家省市各级科研任务。钟耀宗是国家杰青孙钱研究员课题组的核心科研骨干。

研究方向/Research direction

  1. 第三代半导体氮化镓功率电子材料与器件；

  2. 氮化镓片内集成电路。

招生信息/Enrollment information

  招生方向：半导体材料与器件、物理、微电子、集成电路等。

  本课题组前期培养的硕士生和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去华为、武汉光迅、武汉新芯、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。欢迎对孙钱课题组感兴趣的同学将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到yzzhong2016@sinano.ac.cn，抄送xchen2018@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。