苏旭军

个人简历/Personal resume

  副研究员，硕士生导师。2004年～2008年就读于北京理工大学，获学士学位，2013年于中国科学院苏州纳米所获博士学位，2017年留所工作。自2013年起，一直聚焦于电子显微技术及其在半导体材料缺陷与器件微结构表征的研究，擅长宽禁带半导体材料缺陷表征与器件失效分析工作，在APL、JCG等国际学术期刊发表相关论文20多篇，国际会议邀请报告1次。先后获得2014年度和2017年度中国科学院苏州纳米所“先进工作者”，2018年度苏州市“青年岗位能手”和2021年度江苏省“青年岗位能手”等荣誉称号。

研究方向/Research direction

  1. III族氮化物半导体材料缺陷产生机制与演化规律；

  2. III族氮化物半导体光电、电子器件的失效模式与失效机理；

  3. 半导体材料与器件的透射电子显微技术及分析方法。

招生信息/Enrollment information

  1.宽禁带半导体器件的失效分析；

  2.半导体界面及晶体缺陷的电子显微学研究；

  3. 半导体材料与器件的原位透射电子显微学研究。