田爱琴

个人简历/Personal resume

  田爱琴，2017年7月在中国科学院苏州纳米所获博士学位，之后加入中国科学院苏州纳米所，现任副研究员、硕士生导师。入选中国科学院特聘研究岗位、中国科学院苏州纳米所“优秀青年”计划。从博士以来一直从事GaN基激光器材料与器件的研究工作，在GaN基蓝光和绿光激光器外延生长与器件物理方面取得了许多重要的研究成果并积累了丰富的研究经验。参与研制国内首支室温连续工作GaN基绿光激光器；提出了绿光InGaN量子阱台阶流生长调控方法，阐明了有源区trench缺陷形成机理，发现了p型(Al)GaN碳杂质补偿现象，在538nm波段把自发辐射谱半高宽降低到108meV，进一步实现了低阈值GaN基绿光激光器；优化外延生长条件并结合团队的新型ITO复合限制层结构，提升绿光激光器连续输出功率至1.1W，脉冲输出光功率可达1.7W。以第一作者将相关研究成果在Science China materials、Applied Physics Letters、Optics Express等期刊上发表文章9篇，获国际同行认可。相关研究成果被国际半导体界著名杂志《Semiconductor Today》报道。主持国家重点研发计划子课题、国家自然科学青年基金、江苏省青年基金、中国博士后基金等项目。

研究方向/Research direction

  1. GaN基光电子材料与器件外延生长；

  2. GaN基光电子器件研制。

招生信息/Enrollment information

  半导体材料与器件、半导体物理等专业背景。

  请有意向的同学将个人简历、本科成绩单与排名、考研成绩单等发至aqtian2012@sinano.ac.cn。