于国浩

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
邮箱:ghyu2009@sinano.ac.cn

个人简历/Personal resume

  于国浩,博士,现为中国科学院苏州纳米所项目研究员。2013年毕业于中国科学院大学,获得“微电子学与固体电子学”博士学位,2019年日本名古屋大学未来材料系统研究所,访问学者。研究方向为氮化镓(GaN)材料与器件,包括GaN垂直型功率器件、GaN HEMT器件和GaN太赫兹器件等。发表SCI收录论文20篇,获得授权发明专利15项,其中美国专利2项。

研究方向/Research direction

  GaN HEMT&UMOSFET电力电子器件

招生信息/Enrollment information

  半导体物理和材料物理等专业背景

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