刘建勋

个人简历/Personal resume

  刘建勋，博士，中共党员，中国科学院苏州纳米所项目研究员，硕士生导师，中国科学院青年创新促进会会员。2012年本科毕业于大连理工大学物理系，同年推荐免试读研，2017年获大连理工大学工学博士学位，入选辽宁省优秀毕业生。2018-2020年在中国科学院苏州纳米所从事博士后/特别研究助理研究工作。入选江苏省“科技副总”、苏州市“先锋90后”，受《现代苏州》杂志“他们是怎样的旗手”专题报道，连续两年获苏州纳米所先进工作者等荣誉称号。近5年，作为负责人主持/完成省部级以上纵向项目10余项，包括国家自然科学基金面上与青年项目、中国科学院基础前沿科学从0到1原始创新项目等。担任国家自然科学基金通讯评审专家、苏州市工业和信息化领域专家、广东省科技咨询专家。刘建勋是国家杰青孙钱研究员课题组的核心科研骨干。

  专注于第三代半导体氮化镓材料的MOCVD外延生长及应用基础研究工作。面向新型显示、紫外杀菌消毒与探测、5G通信等国家重大战略需求，在InGaN基红绿蓝三基色Micro-LED、AlGaN基深紫外LED、硅基氮化镓微波射频与功率器件（HEMT、SBD、HBT）等高质量材料生长与应用研究中做出了原创性工作。国际首次将硅基GaN材料位错缺陷密度降低至107 cm-2，系列成果受国际半导体行业著名杂志“Semiconductor Today”持续跟踪报道，部分专利技术已实现成果转化。与华为、中国电科等头部企业和研究机构长期保持友好合作。在ACS Photonics、IEEE Electron Device Lett.等国际知名学术期刊上发表学术论文50余篇，参与撰写氮化物半导体学术专著1部，已申请30余项中国发明专利和2项PCT国际专利。

研究方向/Research direction

  1. 第三代半导体氮化镓高质量材料外延生长

  2. 硅衬底氮化镓基激光器与Micro-LED材料外延

  3. 硅衬底氮化镓基射频与功率器件材料外延

招生信息/Enrollment information

  招生方向：半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。

  本课题组前期培养的硕士生和博士生毕业后分别去美国耶鲁大学、美国密西根大学、美国弗吉尼亚理工、中国科技大学等国内外知名高校深造，或者去华为、武汉光迅、武汉新芯、华灿光电、华润微电子等知名企业工作。欢迎对孙钱课题组感兴趣的同学将个人简历和本科成绩单及排名等材料电子版发到jxliu2018@sinano.ac.cn，抄送xren2011@sinano.ac.cn，文件命名格式如下：姓名-学校及专业-简历；姓名-学校及专业-本科成绩单及排名。