赵宇坤

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
邮箱:ykzhao2017@sinano.ac.cn

个人简历/Personal resume

  赵宇坤,副研究员,硕士生导师。2012年获得西安交通大学工学/经济学双学士学位,2017年获得西安交通大学工学博士学位(国家奖学金);2015-2016年,国家公派(CSC奖学金)至英国利物浦大学学习;2018-2019年,在德国PDI固体电子研究所进行博士后研究工作。目前担任副研究员,中科大硕士生导师,Wiley系列期刊Brain-X的青年编委。截至2023年8月,获得了德国莱布尼茨研究基金,中国科学院苏州纳米所优青计划(A类),特聘骨干(基础原创类),连续四年获得纳米所“青年学术奖”;国家级科研项目评审专家,中国电子学会高级会员,SCI期刊Crystals的客座编辑。

  截至2023年8月,作为负责人主持/完成省部级以上科研项目约10项,其中包括国家自然科学基金2项(面上和青年项目),中国科学院从0到1原始创新项目等;近2年来(2021年起),所指导的研究生/博士后作为第一作者在Nano Energy、Nano Research、Photonics Research、ACS Photonics、Fundamental Research、APL Photonics、Adv. Mater. Interfaces、Mater. Adv.、Optics Express等国际知名SCI学术期刊上发表/录用论文约20篇,部分成果被选为期刊封面,或被中国科学院官网等平台报道。

  主要专注于新型宽禁带半导体材料与光电器件的研究,包括可穿戴传感器、自驱动透明器件、类脑芯片等,研究工作受到了一区Top期刊编辑部的关注和邀稿;已授权国际发明专利1项,国内专利近10项;担任Nano Energy、Nano Research、OSA和RSC系列等十余个SCI学术期刊的审稿人,多次在国际分子束外延会议(ICMBE)、全国半导体物理会议、浙大师生沙龙等会议上进行学术报告。

研究方向/Research direction

  1. 低维氮化物材料,包括超柔性透明GaN基材料,GaN基纳米柱阵列;

  2. 新型宽禁带半导体器件,包括可穿戴传感器、自驱动透明器件、显示复合型器件;

  3. 新型光电器件与系统,包括微型类脑芯片,脑机系统。

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