李同

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
电话:0512-62872605
邮箱:tli2008@sinano.ac.cn/dd>

个人简历/Personal resume

  1983年毕业于上海机械学院精密仪器工程系,获工学学士学位;1993年毕业于美国威恩大学(Wayne State University)电子与计算机工程系,获电子工程学硕士学位(专业方向:光学计算机技术);1999年毕业于美国密西根大学(The University of Michigan, Ann Arbor)电子工程与计算机科学系,获电子工程学博士学位(研究方向:应用于液晶显示器的薄膜晶体管(TFT)的先进制造技术)。1983年月至1990年8月供职于陕西省计量测试研究所任助理工程师、工程师;1999年6月至2000年9月供职于美国球面半导体公司(Ball Semiconductor Inc.)任高级器件工程师及研发项目经理;2000年10月至2003年10月供职于美国Chorum技术公司任高级工艺工程师;2004年4月创办宁波思达利光电科技有限公司,任董事长、首席执行官;2008年加入中国科学院苏州纳米所受聘为研究员。

   主要科学贡献:

  1. 发展出一套独特的薄膜微结构精确测量技术,使半导体领域中对薄膜结构分析的精度得到极大地提高;

  2. 发现了氢化无定形氮化硅(a-SiNx:H)薄膜中偏振相关纵向振动模(longitudinal vibration mode)结构;

  3. 发展了薄膜晶体管(TFT)制造中的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)快速成膜技术;

  4. 总结出氢原子在氢化无定形氮化硅薄膜中的热稳定性;

  5. 总结出氢化无定形氮化硅薄膜厚度对Top-Gate结构的TFT器件的电子特性的影响;

  6. 制做出高能量饱和吸收式锁模脉冲掺铒光纤激光器;

  7. 发展了MEMs器件制作工艺中的激光打孔技术、及气相腐蚀工艺;

  8. 首创定向固态液晶结构及相关器件;

  9. 发明了用于TFT-LCD的新型彩色滤光片。

  曾多次主持、参与包括美国国防部高级研究计划局(DARPA)、美国空军科学研究部(AFOSR)、国家科技型中小企业创新基金等等在内的多个科技项目。在国际著名期刊发表论文数十篇;已获、申请国内外发明专利二十余项。

招生信息/Enrollment information

  1. 集成光学器件及产业化

  2. 液晶器件及产业化

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