刘建平

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
电话:0512-62872691
邮箱:jpliu2010@sinano.ac.cn

个人简历/Personal resume

1998 年、2001 年在武汉理工大学分别获得材料学学士、硕士学位,2004年在中科院半导体所获得微电子与固体电子学博士学位。2004 年至 2006 年,在北京工业大学光电子技术实验室工作,从事GaN基LED研究。2006年至2010年,在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事GaN基激光器、LED、HEMT研究,合作教授为美国工程院院士、MOCVD技术的先驱者之一Russell Dupuis教授。2010年5月加入中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,主要从事GaN基光电子材料与器件研究。

在佐治亚理工学院工作期间,研制出高质量的GaN基激光器,阈值电流密度、内量子效率等指标达到国际先进水平(分别为2.5 kA/cm2、92%),研究成果在第15届国际MOCVD会议上宣讲,并被Semiconductor Today 专题报道。加入中科院苏州纳米所后,继续从事GaN基激光器研究工作,目前已研制出斜率效率达1.4W/A(外量子效率50%)的蓝光激光器。在国际上首次实现了非极性A面GaN衬底上蓝光LED的电注入发光。在国际上较早开展了C面GaN基LED的空穴注入与发光特性的关系研究,发现由于空穴注入的限制,实际上只有最靠近p-GaN的一个量子阱发光,并采用新型多量子结构成功地改善了空穴注入,实现了多量子阱发光。在国际上较早开展了InGaN/AlInGaN多量子阱LED和激光器的研究,提高了LED和激光器的内量子效率。已在国际刊物Applied Physics Letters、Journal of Crystal Growth等上发表SCI收录论文37篇,影响因子在3.0以上的10篇。SCI论文被引次数为250次以上。

招生信息/Enrollment information

MOCVD生长GaN基半导体材料;GaN基材料与器件物理。

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