王怀兵

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
电话: 0512-62872565
邮箱:hbwang2006@sinano.ac.cn

个人简历/Personal resume

1986 年 7 月毕业于浙江大学化学工程专业;1991年6月获得浙江大学化学工程专业硕士学位;2001年3月毕业于中国科技大学材料科学与工程系,并获得博士学位。2001年4月,加入深圳方大集团股份有限公司(股票代码:000055),参与创建半导体事业部(项目投资额1.5亿元),开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(LED)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项目。2006年8月加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,现为我所研究员、博士生导师。

主持过一项江苏省科研项目(新型医用光源关键材料技术研究)、一项安徽省科研项目“具有高吸附特性的多孔氧化硅粉体制备”",作为核心成员参与了“十五”国家高科技研究发展计划重大科技攻关项目“半导体照明产业化技术开发功率型芯片产业化关键技术”,提出大尺寸成核外延生长概念(中国专利:CN03118956.3),将GaN薄膜材料缺陷密度降低一个数量级、迁移率提高到800cm2/Vs,LED亮度从3mW提高到6mW,产品处于国内领先水平。2004年开发出大功率芯片的p-AlGaN阻挡层界面平整化技术,大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电,LED器件寿命延长一倍。2005年开发出有源层应力预释放LED新结构,将有源层InGaN的V-pits缺陷密度降低一个数量级,LED亮度提高30~40%,产品在科技部举行的全国行业评比中各项指标名列前矛。在薄膜生长Journal of Crystal Growth 、Solid-State Electronics、Thin Solid Films等国际杂志上发表多篇文章,拥有专利五项。

招生信息/Enrollment information

1. 半导体材料外延

2. 半导体照明器件开发


论文专著/The monograph

在薄膜生长Journal of Crystal Growth 、Solid-State Electronics、Thin Solid Films等国际杂志上发表多篇文章,拥有专利五项。

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