王旭光

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
邮箱:xgwang2009@sinano.ac.cn

个人简历/Personal resume

  王旭光,男,1976 年 2 月生,研究员。博士毕业于美国德州大学奥斯丁分校电子工程系,硕士毕业于美国Rice大学电子工程系,本科毕业于清华大学材料系。从事半导体存储技术研究10年,承担过美国国家自然科学基金、MARCO、SRC等多个科研机构的半导体存储器的研究工作。对于传统闪存以及各种新型半导体存储技术如电子自旋磁矩,阻变存储,铁电存储等均具有第一手的研究经验。在国际半导体器件类排名前两位的杂志和会议上发表过多篇第一作者重要论文,且全部属于SCI,近5年内它引次数超过100次,它引期刊数超过60种。在全世界最大的单一半导体闪存厂商Spansion(AMD闪存部门单独上市)和全世界最大的硬盘存储厂商Seagate做过新型存储技术研发项目的技术带头人。

研究方向/Research direction

  新一代固态存储芯片和算法设计以及相关存储系统的研发应用。

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