张瑞英

单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
电话:0512-62872560
邮箱:ryzhang2008@sinano.ac.cn

个人简历/Personal resume

2002年毕业于中国科学院半导体研究所,获微电子学与固体电子学博士,2002年—2004年在北京交通大学和中科院半导体所做博士后,2005年—2008年在英国布里斯托大学任助理研究员,一直从事InP系半导体光电子器件与材料研究,包括MOCVD材料生长、结构设计、器件制备和表征分析。2008年加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,继续从事III-V半导体光电子器件与材料研究。

张瑞英博士一直针对国家和国民经济对III-V半导体光电子器件和材料的实际需求开展研究,现授权发明专利10项,申请发明专利8项,PCT专利1项,以第一作者、通信作者发表学术论文多篇,获苏州市"高层次紧缺人才"资助。主持国家预研、国家自然科学基金、教育部留学回国基金、江苏省工业支撑、苏州市应用研究等多项项目。与清华大学、中国科技大学、浙江大学、西安交通大学、大连理工大学、上海大学、中北大学、中电集团44所、23所和11所、中科院半导体所、中科院微系统与信息技术研究所等多个高校和科研院所建立了合作关系,是信息功能材料国家重点实验室的客座研究员。


主要研究成果:

1. 信息光电子器件方面:

(1)提出并实现了渐变应变赝体结构偏振不灵敏半导体光学放大器

(2)提出并利用调制掺杂量子阱结构实现了短载流子寿命半导体光学放大器

(3)开发出级联蚀刻技术,并成功制备出双浅脊波导矩形腔半导体激光器

(4)提出并实现了利用非对称双浅脊波导来降低垂直耦合波导损失

(5)提出并利用垂直有源波导实现灵活耦合比的单环谐振腔和单环可调谐激光器

2. III-V半导体材料:

(1)国内首先利用MOCVD设备成功开展了InP系材料的窄条宽选区生长研究

(2)国内首先利用MOCVD设备成功生长出N型调制掺杂量子阱结构

3. 光伏方面:

(1)实现了高折射率太阳电池宽谱减反且表面钝化结构,切实提高电池效率

(2)揭示出高折射率太阳电池宽谱减反和吸收增强机理

(3)基于高折射率太阳电池表面工程,制备出高效GaAs和GaInP太阳电池

研究方向/Research direction

1. III-V族半导体信息光电子器件

2. 图案化衬底III-V族材料异质外延

3. 高折射率太阳电池表面工程


招生信息/Enrollment information

欢迎光电子、半导体物理、光通信、半导体材料、应用物理、光学等背景的同学踊跃报考!

扫一扫关注我们