
李坊森
- 单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
- 电话:0512-62872899
- 邮箱:fsli2015@sinano.ac.cn
个人简历/Personal resume
2006年获得西北工业大学学士学位;2011年获得西北工业大学博士学位,2008~2010年在英国伯明翰大学做联合博士研究,博士学位论文获得2014年“陕西省优秀博士学位论文”。2012~2015年在清华大学薛其坤院士组做博士后研究工作。2015年04月全职加入中国科学院苏州纳米所。2016年作为核心成员入选江苏省“双创团队”,2017年入选“中国科学院青年促进会”会员,2022年04月入选特聘研究岗,开展新一代器件制造技术——真空互联原子制造关键技术攻关,获批“333工程第三层次”人才。2022年04月起担任纳米真空互联实验站副主任,支部书记,获“中科院南京分院优秀党务工作者”、“苏州工业园区劳模”等称号。
主要聚焦面向未来信息材料与器件的真空互联原子制造技术研发,针对低维材料超净合成、原子尺度结构和能带结构表征和原型器件等共性的表/界面科学问题进行研究。在低维拓扑、超导、电荷密度波、磁性等物态关联性等方面取得重要进展。研究特色是利用真空互联技术,原子尺度精确控制合成低维材料,结合原位表面表征方法,研究其生长机理、缺陷形成机制、原子尺度结构和能带结构表征,探索基于拓扑材料的原位器件原子级制造和极限器件性能。
承担国家部委、基金委、省/市等项目和任务10余项,包括国家自然科学基金重点项目(2项/单位负责人),国家/省自然科学基金青年项目(2项),中国科学院青促会、苏州市基础研究项目、所自立以及多个横向课题等,担任多种学术期刊审稿人。已在国际学术期刊杂志上发表SCI收录学术论文80余篇,其中以一作/通讯作者在Sci. Bull., Phys. Rev. Lett., Nat. Commum.等国际期刊发表学术论文36篇,授权/申请专利16 项。
研究方向/Research direction
1. 低维材料与特性:真空互联下原子级材料精确构筑和特性调控;
2. 真空互联原位器件:真空互联下从材料到器件的原位加工制备,性能测试;
3. 信息器件原子级制造:原子级材料以及信息器件制造技术,攻克关键制造技术。
招生信息/Enrollment information
低维材料,真空互联原位器件,原子级制造
论文专著/The monograph
1. Zhang, Xin; Li, Xiaoyin; Cheng, Zhengwang; Chen, Aixi; Wang, Pengdong; Wang, Xingyue; Lei, Xiaoxu; Bian, Qi; Li, Shaojian; Yuan, Bingkai; Gao, Jianzhi; Li, Fang-Sen; Pan, Minghu and Liu, Feng; Large-scale 2D heterostructures from hydrogen-bonded organic frameworks and graphene with distinct Dirac and flat bands, Nat. Commun., 2024, 15, 5934.
2. Wang, Shu-Ze; Yu, Xue-Qing; Wei, Li-Xuan; Wang, Li; Cheng, Qiang-Jun; Peng, Kun; Cheng, Fang-Jun; Liu, Yu; Li, Fang-Sen; Ma, Xu-Cun; Xue, Qi-Kun and Song, Can-Li; Quantum spin driven Yu-Shiba-Rusinov multiplets and fermion-parity-preserving phase transition in K3C60, Sci. Bull., 2024, 69: 1392–1399.
3. Pan, Minghu; Zhang, Xin; Zhou, Yinong; Wang, Pengdong; Bian, Qi; Liu, Hang; Wang, Xingyue; Li, Xiaoyin; Chen, Aixi; Lei, Xiaoxu; Li, Shaojian; Cheng, Zhengwang; Shao, Zhibin; Ding, Haoxuan; Gao, Jianzhi; Li, Fangsen and Liu, Feng; 15 Growth of Mesoscale Ordered Two-Dimensional Hydrogen-Bond Organic Framework with the Observation of Flat Band, Phys.Rev. Lett., 2023, 130: 036203.
4. Ren, M. Q.; Han, S.; Fan, J. Q.; Wang, L.; Wang, P.; Ren, W.; Peng, K.; Li, S.; Wang, S. Z.; Zheng, F. W.; Zhang, P.; Li, F.; Ma, X.; Xue, Q. K. and Song, C. L.; 12 Semiconductor-Metal Phase Transition and Emergent Charge Density Waves in 1T-ZrX2 (X = Se, Te) at the Two-Dimensional Limit, Nano Lett., 2022, 22: 476-484.
5. Wang, L.; Wu, Y.; Yu, Y.; Chen, A.; Li, H.; Ren, W.; Lu, S.; Ding, S.; Yang, H.; Xue, Q. K.; Li, F. S. and Wang, G.; Direct Observation of One-Dimensional Peierls-type Charge Density Wave in Twin Boundaries of Monolayer MoTe2, ACS Nano, 2020, 14: 8299-8306.