任国强

个人简历/Personal resume

  2002年-2007 年中国科学院福建物质结构研究所硕博连读，获理学博士。2002年-2008年中国科学院福建物构所助理研究员，2008年7月加入中国科学院苏州纳米所。现为中国科学院苏州纳米所研究员级高级工程师，博士生导师。入选中国科学院关键技术人才，长期从事GaN单晶材料生长及物性调控研究工作。发表论文40余篇，申请专利20余项。主持“十三五”及“十四五”国家重点研发计划重点专项子课题、“十三五”及“十四五”国家部委项目、国家自然科学基金面上项目及青年基金、中国科学院科研设备研制项目、江苏省重点研发项目及江苏省工业支撑重点项目、苏州市应用基础项目等。在CGCT、IFWS、IUMRS、NDNC、全国晶体生长会议、全国MOCVD会议、宽禁带半导体会议等国际国内会议做报告20余次。

  先后主持国家自然科学基金青年基金、面上项目，江苏省工业支撑项目，苏州市科技创新项目等多个科研项目。作国际会议邀请报告3次，国内报告十余次；申请专利16项，发表文章20余篇，任人工晶体学报青年编委，致力于氮化镓单晶材料生长技术的产业化，将氮化镓位错密度降低至104cm-2量级，达到国际先进水平。

研究方向/Research direction

  1. 氮化镓单晶材料生长及表征；

  2. 氮化镓光电性质调控。

招生信息/Enrollment information

  宽禁带半导体材料。